产品与服务
砷化镓衬底
我们可提供VGF法制备的最大尺寸6英寸的砷化镓晶片,包括半绝缘砷化镓晶片(无掺杂)和半导体砷化镓晶片(掺硅、掺锌)。
砷化镓(GaAs)是一种性能优良的半导体材料,具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。被广泛应用于光电子和微电子工业。

项目 单位 LD应用产品规格 LED应用产品规格 微电子产品规格
导电类型   N型 P型/N型  
晶体生长方式   垂直梯度凝固法 垂直梯度凝固法 垂直梯度凝固法
掺杂   锌/硅 无掺杂
直径 inch 2",3",4" and 6" 2",3",4" and 6" 2",3",4" and 6"
晶圆晶向*   (100)±0.1° (100)±0.5° (100)±0.5°
主参考面/副参考面   US or EJ US or EJ US, EJ or notch
载流子浓度 /cm3 (0.4-2.5) ×1018 (0.5-5) ×1019
(0.4-4)×1018
 
电阻率 ohm.cm (1.2-9.9) ×10-3 (1.2-9.9)×10-3 >107
电子迁移率 cm2/v.s >1500 50-120/>1000 >4000
位错密度 /cm2 <500 <5000 <5000
激光打标   根据要求 根据要求 根据要求
厚度* μm (350-650)±25 (350-650)±25 (350-650)±25
TTV(P/P) μm ≤5 ≤5 ≤4
TTV(P/E) μm ≤10 ≤10 ≤10
Warp μm ≤10 ≤10 ≤10
表面 主面
背面
抛光
抛光/腐蚀
抛光
抛光/腐蚀
抛光
抛光/腐蚀
开盒即用  
包装方式   卡塞或单片圆盒包装 卡塞或单片圆盒包装 卡塞或单片圆盒包装