砷化镓衬底
我们可提供VGF法制备的最大尺寸6英寸的砷化镓晶片,包括半绝缘砷化镓晶片(无掺杂)和半导体砷化镓晶片(掺硅、掺锌)。
砷化镓(GaAs)是一种性能优良的半导体材料,具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。被广泛应用于光电子和微电子工业。
砷化镓(GaAs)是一种性能优良的半导体材料,具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。被广泛应用于光电子和微电子工业。
项目 | 单位 | LD应用产品规格 | LED应用产品规格 | 微电子产品规格 |
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导电类型 | N型 | P型/N型 | ||
晶体生长方式 | 垂直梯度凝固法 | 垂直梯度凝固法 | 垂直梯度凝固法 | |
掺杂 | 硅 | 锌/硅 | 无掺杂 | |
直径 | inch | 2",3",4" and 6" | 2",3",4" and 6" | 2",3",4" and 6" |
晶圆晶向* | (100)±0.1° | (100)±0.5° | (100)±0.5° | |
主参考面/副参考面 | US or EJ | US or EJ | US, EJ or notch | |
载流子浓度 | /cm3 | (0.4-2.5) ×1018 | (0.5-5) ×1019 (0.4-4)×1018 |
|
电阻率 | ohm.cm | (1.2-9.9) ×10-3 | (1.2-9.9)×10-3 | >107 |
电子迁移率 | cm2/v.s | >1500 | 50-120/>1000 | >4000 |
位错密度 | /cm2 | <500 | <5000 | <5000 |
激光打标 | 根据要求 | 根据要求 | 根据要求 | |
厚度* | μm | (350-650)±25 | (350-650)±25 | (350-650)±25 |
TTV(P/P) | μm | ≤5 | ≤5 | ≤4 |
TTV(P/E) | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
Warp | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
表面 | 主面 背面 |
抛光 抛光/腐蚀 |
抛光 抛光/腐蚀 |
抛光 抛光/腐蚀 |
开盒即用 | 是 | 是 | 是 | |
包装方式 | 卡塞或单片圆盒包装 | 卡塞或单片圆盒包装 | 卡塞或单片圆盒包装 |