威科赛乐微电子股份有限公司

磷化铟衬底

我司提供高质量的2-4英寸磷化铟(InP)晶片，产品包括无掺杂InP晶片、掺铁InP晶片、掺硫InP晶片、掺锌InP晶片。
磷化铟（InP）是重要的III-V族化合物半导体之一，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点。被广泛应用于光电子和微电子工业。

项目	单位	半绝缘规格	半导体规格
导电类型			N型/P型
晶体生长方式		VGF	VGF
掺杂		铁	硫、锡 / 非掺 / 锌
直径	英寸	2",3",4"	2",3",4"
晶向角度*		(100)±0.5°	(100)±0.5°
参考面		US,EJ	US,EJ
电阻率(Res)	ohm.cm	≥0.5x10⁷
载流子浓度(C.C)	cm^-3	N/A	(0.8-8)x10¹⁸/(1-10)x10¹⁵/(0.8-8)x10¹⁸
电子迁移率(Mob)	cm²/v.s	≥1000	1000-2500/3000-5000/50-100
腐蚀坑密度(EPD)	/cm²	1500-5000	100-5000/≥5000/≥500
激光打标		应需求	应需求
厚度*	μm	(350-675)±25	(350-675)±25
TTV(P/P)	μm	≤10	≤10
TTV(P/E)	μm	≤15	≤15
Warp	μm	≤15	≤15
表面要求	Sides 1 & 2	抛光/腐蚀	抛光/腐蚀
开盒即用		是	是
包装方式		卡塞装或圆盒装	卡塞装或圆盒装

返回列表