科研创新
01 晶体制备技术
晶体制备主要是VGF垂直梯度凝固法。
垂直梯度凝固法的优势
  • 工艺流程简单、重复性好
  • 容易实现程序控制
  • 晶体的形状完全由坩埚的外形决定,晶体利用率高
  • 较小的温度梯度、晶体热应力小、缺陷少、晶格完整性好等
02 晶片制造技术
晶体经过切片、磨边、研磨、抛光、清洗等一系列工艺过程,加工成可用于制造半导体器件的晶片的技术。
切片
采用多线切割技术,其是目前世界上比较先进的切割技术,通过高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对晶棒进行摩擦,从而达到切割效果。它具有以下优点
切片的技术优势
  • 弯曲度(BOW)、翘曲度(WARP)小
  • 平行度(TAPER)好
  • 总厚度公差(TTA)离散性小
  • 刃口切割损耗小
  • 表面损伤层浅
  • 晶片表面粗糙度小

03 外延生长技术
使用德国进口MOCVD系统,采用国际领先的外延生长技术生产出相应的外延片
德国进口的AIX 2800G4系统是目前生长砷化镓器件外延薄膜使用率很高的一套先进薄膜制造系统,我司通过对外延层的特殊设计及各项生长条件的精确控制,采用该套系统生长出来的外延片具备一致性高、均匀性好、外观特性好、各项指标的综合良率高,完全满足客户对外延片各项指标的要求。


04 芯片加工技术
我司采用国内外领先的加工工艺,使用蒸发、光刻、刻蚀、清洗、减薄、划片等工序对外延片进行加工,生产出具备相应功能应用的芯片产品
  • 01

    蒸发

  • 02

    光刻

  • 03

    刻蚀

  • 04

    清洗

  • 05

    减薄

  • 06

    划片

光刻工序
我司目前拥有佳能I5系列光刻机,采用我司特有的多次曝光技术能大幅度降低曝光线宽精度,最小线宽能做到光刻机标准线宽的一半左右。
刻蚀工序
我司拥有多种刻蚀监控技术,能对刻蚀目标膜层进行精准刻蚀监控,具备刻蚀精度高、可控性强、良率高的特点。

减薄工序
我司采用自动研磨减薄机对芯片大圆片进行厚度减薄处理,大圆片的厚度一般为650um左右,最终的芯片厚度通常小于100um。
划片工序
我司切割工艺条件具备切割效率高、精度高、良率高的特点,完全满足不同的客户对晶圆材料的需求。
全自动AOI分选工序
我司拥有多台进口全自动AOI检验设备,AOI(Automatic Optical Inspection)可以进行2D/3D光学外观检测,检测精度达到微米级,与自动分选机之间进行联动抛档分类,全面保障出货芯片外观良率的可控性。